Với sự phổ biến của AI hiện nay, nhu cầu về RAM tốc độ cao (HBM) được sử dụng để cung cấp năng lượng cho AI ngày càng tăng mạnh. Tuy nhiên, khác với các đối thủ như SK Hynix và Micron Technology, Samsung chưa tham gia bất kỳ thỏa thuận nào nhằm mục đích cung cấp các chip HBM với nhà lãnh đạo trong lĩnh vực chip AI - Nvidia.

Lý do chính của Samsung sử dụng công nghệ sản xuất chip được ưa chuộng bởi SK Hynix là nhằm bắt kịp xu hướng sản xuất chip cao cấp cho ứng dụng AI. Điều này có ý nghĩa cực kỳ quan trọng đối với Samsung vì công ty này chưa ký kết bất cứ thỏa thuận nào với Nvidia trong khi nhu cầu về chip HBM tăng vọt lên do sự phát triển của công nghệ AI.

Một trong những lý do khiến Samsung tụt lại là quyết định sử dụng công nghệ sản xuất chip được gọi là “phim không dẫn điện” (NCF). Nó là một lớp mỏng vật liệu không cho phép dòng điện đi qua. Nó được sử dụng để cách điện và ngăn chặn truyền nhiệt hoặc truyền điện qua bề mặt mà nó được áp dụng. Tuy nhiên, Samsung đã sai lầm khi lựa chọn phương pháp này vì nó đã gây ra một số vấn đề trong sản xuất. 

Trong khi, Hynix đã chuyển sang phương pháp “khối đúc lớn” (MR-MUF). Có thể hiểu nó là phương pháp đóng gói chip được sử dụng trong quá trình sản xuất bán dẫn. Nó bao gồm việc đặt nhiều chip lên một lớp chất liệu dưới và kết nối chúng với nhau. Trong quá trình này, một chất liệu khuôn được đổ vào tạo khoảng trống giữa các chip và lớp chất liệu dưới.

Phương pháp MR-MUF giải quyết nhu cầu lấp khoảng trống trong quá trình thực hiện các khuôn đúc cùng một lúc. Từ đó các nhà sản xuất có thể đạt được hiệu suất tản nhiệt tốt hơn và tăng số lượng các điểm tiếp xúc nhiệt tạo ra các chip nhỏ hơn, mỏng hơn với dung lượng cao hơn và cải thiện hiệu suất.

Tuy nhiên, gần đây Samsung đã đặt hàng mua thiết bị sản xuất chip được thiết kế để xử lý phương pháp MUF. Samsung đang phải cố gắng để tăng lượng chip HBM của mình và việc áp dụng phương pháp MUF khiến công ty này ngậm chút trái đắng khi bắt chước theo phương pháp đã từng được sử dụng của công ty đối thủ Hynix.

Hiện tại, tỷ lệ sản lượng chip HBM3 của Samsung đạt khoảng 10-20% trong khi Hynix đã đạt được tỷ lệ sản lượng khoảng 60-70% cho sản xuất chip HBM3 của mình.

HBM3 và HBM3E là phiên bản mới nhất của chip HBM, sản phẩm đang nhận được sự săn đón mạnh mẽ từ các nhà sản xuất bởi vì chúng được kết hợp với chip vi xử lý lõi nhằm xử lý lượng dữ liệu lớn mà trí tuệ AI tạo ra.

Samsung cũng đang tiến hành đàm phán với các nhà sản xuất vật liệu, bao gồm công ty Nagase của Nhật Bản, để cung cấp vật liệu MUF. Tuy nhiên, việc sản xuất hàng loạt các chip cao cấp sử dụng phương pháp MUF có thể sẽ không sẵn sàng cho đến ít nhất năm sau vì Samsung cần tiến hành thêm các cuộc thử nghiệm.

Theo một số nguồn tin mới nhất “Samsung dự định sử dụng cả hai phương pháp NCF và MUF cho chip HBM mới nhất của mình.” Samsung cho biết công nghệ NCF do họ phát triển nội bộ là một "giải pháp tối ưu" cho các sản phẩm HBM và sẽ được sử dụng trong chip HBM3E mới của họ.

Samsung cho biết họ vẫn đang tiến hành kinh doanh sản phẩm HBM3E theo kế hoạch. Kế hoạch của Samsung sử dụng MUF được nhận định có thể làm gia tăng áp lực ngày càng cao mà họ đang đối mặt trong cuộc đua chip trí tuệ nhân tạo, khi thị trường chip HBM dự kiến tăng gấp đôi trong năm nay lên gần 9 tỷ đô la Mỹ do nhu cầu liên quan đến trí tuệ nhân tạo ngày càng tăng.

Mai Hương