Vinamilk

Samsung đối mặt án phạt 1,2 tỷ USD tại Mỹ do vi phạm sáng chế

(SHTT) - Tòa án Liên bang Mỹ đã đưa ra phán quyết Samsung vi phạm sở hữu trí tuệ đối với công nghệ FinFET được sử dụng trong chip xử lý mà KAIST IP US nắm giữ.

Theo PhoneArena, án phạt ban đầu là 400 triệu USD nhưng sau đó nâng lên gấp ba do Samsung cố tình vi phạm bằng sáng chế. Ngoài Samsung, Qualcomm và GlobalFoundries Inc. cũng bị phát hiện vi phạm cùng một bằng sáng chế. Tuy nhiên, hai công ty này đã không bị yêu cầu bồi thường thiệt hại.

chip_iyai

Exynos 9 là một trong những chip sử dụng công nghệ FinFET. 

FinFET là một bóng bán dẫn được sử dụng trong thiết kế của chip xử lý, sử dụng cổng điện cực dạng vây cá (lá tản nhiệt). Công nghệ này cho phép mở đa cổng trên một bóng bán dẫn để tăng hiệu năng và giảm năng lượng tiêu thụ, cũng như giúp thiết kế chip nhỏ hơn.

Trong bản cáo trạng, ban đầu Samsung không định đưa FinFET vào vi xử lý của mình vì cho rằng nó là "công nghệ nhất thời". Tuy nhiên, công ty đã thay đổi quyết định khi Intel sở hữu bản quyền dùng FinFET trên các chip xử lý của mình. Samsung phủ nhận việc vi phạm và tuyên bố rằng công ty đã làm việc với KAIST IP US để phát triển FinFET. Gã khổng lồ công nghệ nói thêm rằng họ tin cáo buộc là bất hợp lý và sẽ xem xét việc kháng cáo.

Trước đó, Samsung cũng đã phải trả cho Apple số tiền 538,6 triệu USD do vi phạm các sáng chế liên quan đến thiết kế smartphone, gồm ngoại hình bo tròn bốn góc và viền mặt trước, cũng như giao diện dạng lưới mà Apple đã đăng bản quyền cho iPhone. Đây là bản án kéo dài 7 năm giữa Apple và Samsung.

Kim Dung